不同绝缘层上生长的并五苯薄膜及其OTFT器件性能的研究

摘要：

分别以SiO2和PMMA为绝缘层材料制备了底栅顶接触结构的OTFT器件,得到以PMMA为绝缘层的器件具有更好的件能,其场效应迁移率为0.207 cm2·Vs-1,开关电流比为4.93×103,阈值电压为-4.3 V;而以SiO2为绝缘层的器件,其场效应迁移率仅为0.039 cm2·Vs-1,开关电流比为5.98×102,阈值电压为-5.4 V.为分析器件性能差异的原因,测得了SiO2和PMMA薄膜表面的AFM图谱及其上沉积并五苯薄膜后的AFM和XRD图谱.通过AFM图谱发现PMMA表面较SiO2表面粗糙度小,其表面粗糙度的均方根值为0.216 nm,而二氧化硅薄膜表面粗糙度的均方根值为1.579 nm;且发现在PMMA上生长的并五苯薄膜的成膜质量优于在SiO2,具有较大的品粒尺寸和较少的晶粒间界.通过XRDm图谱发现在PMMA上生长的并五苯薄膜具有明显的衍射峰,进一步证明了在PMMA上生长的并五苯薄膜具有更好的结晶状况,将更有利于载流子的传输.

关键词：并五苯、PMMA、二氧化硅、有机薄膜晶体管

所属期刊栏目：29

分类号：O482.3(固体物理学)

资助基金：设与研究生教育建设项目资助"863"计划项目2006AA03Z0412;国家自然科学基金项目10774013,10804006;教育部博士点基金项目20070004024;博士点新教师基金项目20070004031;北京市科技新星计划项目2007A024;高等学校学科创新引智计划项目B08002;第三世界科学院基金项目和北京市教育委员会学科建设与研究生教育建设项目资助

在线出版日期：2009-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2325-2329