掺杂钨酸铅晶体闪烁发光光谱研究

摘要：

利用改进的晶体生长设备和工艺提高了PbWO4闪烁品体的光产额.通过对生长获得的PbWO4、退火PbWO4和BaF2:PbWO4晶体的透过光谱,衰减时间和光产额等闪烁性质的研究,发现品体退火和掺杂技术特别是阴离子掺杂技术能够显著提高晶体的闪烁发光性能.其中晶体掺杂全面提高了晶体的透过光谱强度,但是退火的影响较复杂.高温退火改善了PbWO4晶体在360 nm以上波段的透过光谱的透过率,但是在320～360 nm波段其透过率反而降低.这些现象与晶体中缺陷在可见光波段产生的特征吸收有关.晶体的良好退火和掺杂提高了晶体的光产额,其中BaF2:PbWO4掺杂晶体室温闪烁发光强度达到65 p.e.(MeV)-1,接近PET的使用要求.这种提高与晶体F-离子掺杂引发晶体[WO4]2-四面体基团畸变有关,F-离子进入该四面体产生了新的发光中心.

关键词：闪烁晶体、温度梯度法、透过光谱、衰减时间、光产额

所属期刊栏目：29

分类号：TN213.2;O423(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金项目69578025;浙江省国际合作重大攻关项目2006C14029;浙江省自然科学基金项目Y105459

在线出版日期：2009-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2313-2316