多针双极电晕放电形貌发射光谱研究

摘要：

利用光学发射光谱(OES)法检测N2发射光谱,研究常压下多针双极电晕放电中高能电子分布.根据N2第二正态激发谱峰IsPB在空间的分布,较精确地确定其电离区形貌,体积分Ispb获知IsPB与放电电流J之间的关系.多针双极电晕放电在高压电极和地电极附近各有一个电离区,各电离区的范围都随电压U的升高而不同程度增大.其中负电晕电离区范围大于正电晕电离区,高压端电子雪崩沿针尖轴向比沿径向发展范围大.正负电晕电离区中ISPB体积分值均与I近似呈一阶线性关系,即ISPB刚的分布和高能电子浓度相对应.电离区中形成电流的带电粒子为高能电子,迁移区中形成电流的带电粒子为离子.

关键词：发射光谱、高能电子、Nz第二正态谱峰、电离区、电子雪崩

所属期刊栏目：29

分类号：O56(分子物理学、原子物理学)

资助基金：新世纪优秀人才支持计划项目NCET-07-0126;博士点基金项目20060151002;辽宁省高等学校优秀人才计划项目RC-05-08

在线出版日期：2009-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：24-27