金属-砷化镓界面的电调制反射光谱与Franz-Keldysh效应研究

摘要：

通过调制光谱这种基础的光学方法来研究Au-GaAs,Al-GaAs,Ni-GaAs的金属半导体界面的一些电学性质,并且加以比较,其中包括电场、费米能级扎钉和界面态密度等情况.这些界面是通过在SIN+GaAs样品上沉积金属(Au,Al,Ni)生长成的.通过观察电反射谱来研究金属GaAs的界面电场和费米能级扎钉的情况,然后通过傅里叶变换这些所取得的电反射谱来分析这些材料的界面性质.通过测量氦氖激光器诱导产生的光电压和激光器光强之间的关系来得到这些材料的界面态密度情况,从而进行进一步的研究.

关键词：金属半导体界面、Franz-Keldysh效应、光伏效应、电调制反射谱

所属期刊栏目：28

分类号：TN304.26;O431(半导体技术)

资助基金：国家教育部"振兴计划"基金项目A01504

在线出版日期：2008-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1701-1704