Ga-Fe3O4的室温合成和谱学表征
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3964/j.issn.1000-0593.2008.03.058

Ga-Fe3O4的室温合成和谱学表征

引用
采用氧化--沉淀法在室温下合成了不同Ga含量的Ga取代磁铁矿,并对上述产物进行了IR,XRD,Mossbauer等谱学解析和磁滞回线的测量.结果表明:Ga取代磁铁矿的生成可能经过Ga取代的绿锈中间体,但这种中间体在热N2干燥的条件下就能转化成产物磁铁矿;随Ga进入尖晶石结构中,产物的XRD分析表明其晶面间距减小,IR光谱分析表明标志Mr-O-Mo的振动吸收峰向高波数移动.少量的Ga进入尖晶石结构优先占据A位,且初始溶液中含有少量Ga3+能一定程度抑制非磁性的Fe2O3的生成;随Ga含量的增加,其进入B位的趋势增加.

Ga、磁铁矿、X射线粉沫衍射、红外、Mossbauer谱

28

TB32(工程材料学)

国家自然科学基金20076048

2008-05-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

715-718

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

光谱学与光谱分析

1000-0593

11-2200/O4

28

2008,28(3)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn