10.3964/j.issn.1000-0593.2008.03.058
Ga-Fe3O4的室温合成和谱学表征
采用氧化--沉淀法在室温下合成了不同Ga含量的Ga取代磁铁矿,并对上述产物进行了IR,XRD,Mossbauer等谱学解析和磁滞回线的测量.结果表明:Ga取代磁铁矿的生成可能经过Ga取代的绿锈中间体,但这种中间体在热N2干燥的条件下就能转化成产物磁铁矿;随Ga进入尖晶石结构中,产物的XRD分析表明其晶面间距减小,IR光谱分析表明标志Mr-O-Mo的振动吸收峰向高波数移动.少量的Ga进入尖晶石结构优先占据A位,且初始溶液中含有少量Ga3+能一定程度抑制非磁性的Fe2O3的生成;随Ga含量的增加,其进入B位的趋势增加.
Ga、磁铁矿、X射线粉沫衍射、红外、Mossbauer谱
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TB32(工程材料学)
国家自然科学基金20076048
2008-05-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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