CdSyTe1-y多晶薄膜的制备及光谱表征

摘要：

采用真空共蒸发法制备了CdSyTe1-y(0≤y≤1)多晶薄膜,并用X射线衍射谱(XRD)、能量色散谱(EDS)研究了CdSyTe1-y,多晶薄膜的结构、组分.实验结果表明:石英振荡法监控的组分与EDS谱结果较为一致;当y<0.3时,CdSyTe1-y,多晶薄膜为立方结构,当y≥0.3时,CdSyTe1-y多晶薄膜为六方结构.采用XRD线形分析法可计算出CdSyTe1-y多晶薄膜晶粒大小约20～50 nm.最后,用紫外-可见-近红外谱(UV-Vis-NIR),测得300～2500 nmCdSyTe1-y多晶薄膜的透过率曲线,并结合一阶Sellmeier模型的折射率色散关系,表征了CdSyTe1-y多晶薄膜的光学性质,获得了CdS0.22Te0.78多晶薄膜的光学厚度d～535 nm,光能隙Eg～1.41 eV,以及吸收系数a(λ)、折射率n(λ)等光学量.结果也表明,采用真空共蒸发法可以制备需要组分的CdSyTe1-y多晶薄膜,对CdSyTe1-y多晶薄膜光学性质的表征方法可推广到其他的半导体薄膜材料.

关键词：CdSyTe-y薄膜、共蒸发法、光谱表征

所属期刊栏目：28

分类号：O657.3(分析化学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA513010;国家自然科学基金60506004;四川省科技攻关项目05GG0021-003-3;四川省科技支撑计划2008GZ0027

在线出版日期：2008-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：499-502