光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充

摘要：

采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上,制备了InAs量子点,对样品进行原子力显微镜测试,统计结果表明量子点尺寸呈双模分布.光致发光谱研究表明,在室温和77 K下,小量子点的发光峰均占主导地位,原因可能是:(1)大量子点的态密度小于小量子点;(2)捕获载流子速率,大量子点小于小量子点;(3)大量子点与盖层存在较大的应变势垒和可能出现的位错和缺陷,导致温度变化引起载流子从小尺寸量子点转移到大尺寸的量子点中概率很小.

关键词：光致发光谱、量子点、双模分布、态填充

所属期刊栏目：27

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60476042;天津市应用基础研究项目06YFJZJC01100;长江学者创新团队发展计划

在线出版日期：2008-03-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2178-2181