多针对板负电晕放电电离区形貌确定

摘要：

在前期对常压下多针对板负电晕放电伏安特性研究的基础上,利用光学发射光谱(OES)法检测放电产生的N2发射光谱,研究其电离区形貌.根据N2发射光谱中峰值最大的第二正态激发谱峰强度ISPB在高压针电极周围的空间分布,较精确地确定了电离区形貌;在电离区内体积分ISPB,获知ISPB与放电电流I之间的关系.实验结果表明,电离区大小随着外加电压U升高而增大;电子雪崩始于距离针尖半径约1 mm处的球面上,并且只在mm量级范围内发展,即电离区的大小为mm量级;电子雪崩沿针尖轴向比沿径向发展范围大,电离区形貌为"子弹"状;ISPB的积分值与I成二次相系数很小的二阶线性关系,故放电中受激物质主要是N2;高能电子主要存在于电离区,迁移区中形成电流的带电粒子为离子.

关键词：发射光谱、电晕放电、电离区、电子雪崩、高能电子、N2第二正态谱峰

所属期刊栏目：27

分类号：O536(等离子体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50276006;50208005;辽宁省高等学校优秀人才资助计划RC-05-08

在线出版日期：2008-03-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2171-2174