利用Raman散射光谱研究铜铟镓硒薄膜表面的掺杂调节作用

摘要：

主要研究了采用溅射后硒化方法制备CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳电池的吸收体材料中的表面层掺杂调节问题.并利用Raman散射谱分析研究了样品表面层特征峰的移用,研究结果表明:CIGS薄膜表面层由富In表面层调节为富CuGa表面层后,Raman特征峰位向高波数移动,表明薄膜表面的Ga含量随之变化,并导致表面能带的相应改变,经计算证实了富CuGa表面层样品较之富In表面层样品具有更高的表面能带,从而改善了以此材料为吸收层的太阳电池器件性能,Voc提高了74 mV,填充因子上升8%,最终使器件转换效率η相应提高了约2%.提高了Voc与FF.同时表明Raman散射谱作为一种灵敏的表面表征手段,在研究太阳电池吸收层表面状态时十分有力.

关键词：Raman谱、CIGS薄膜材料、表面能带

所属期刊栏目：27

分类号：O484.1;TQ377+.1;O485(固体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2001AA513020

在线出版日期：2007-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：716-719