ZnTe(ZnTe∶Cu)多晶薄膜的XPS研究

摘要：

用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小值,当温度继续升高时又陡然增加,呈现异常现象.用XPS研究了N2气氛下退火前后表面状态,发现不掺Cu的ZnTe薄膜呈现富Te现象.掺Cu后Te氧化明显,以ZnTe形式存在的Te明显减少;ZnTe∶Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显,退火前,Zn主要以ZnTe形式存在,退火后Zn原子向表面扩散,使表面成分更加均匀,谱峰变宽;退火时,部分Cu原子进入品格形成CuxTe相,引起载流子浓度变化,导致ZnTe∶Cu多晶薄膜的电导温度关系异常.

关键词：ZnTe多晶薄膜、光电子能谱、退火、CuxTe

所属期刊栏目：27

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA513010;国家自然科学基金50076030;高等学校博士学科点专项科研项目20050610024

在线出版日期：2007-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：598-601