Ba2MgGe2O7:Cr4+晶体中荷移激发态对g因子贡献的研究

摘要：

文章建立了立方四面体3d2络合物g因子的完全高阶微扰公式.在这个公式中,除了与d-d跃迁光谱(晶场激发态)有关的晶场(CF)机制的贡献(包括近年发展的双旋-轨耦合参量模型)外,与电荷转移光谱(荷移激发态)有关的荷移(CT)机制的贡献也被考虑.将这个公式应用于Ba2MgGe2O7:Cr4+晶体平均g因子的计算,发现理论计算值与实验值很好的一致,同时,荷移机制对g移动△g(=g-2.002 3)的贡献△gCT在符号上与晶场机制的贡献△gCF相反,而在大小上约为晶场机制贡献的38%.因此,在对高价态过渡金属离子络合物的g因子计算时应考虑CF机制和CT机制的贡献.

关键词：电子顺磁共振、g因子、荷移机制、晶体场和配位场理论、Ba2MgGe2O7晶体

所属期刊栏目：27

分类号：O482.5(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10274054;民航总局民航飞行技术与飞行安全科研基地项目

在线出版日期：2007-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：8-11