Ni掺杂ZnO薄膜的荧光特性

摘要：

采用脉冲激光沉积技术(PLD)在单晶Si衬底上制备了Ni掺杂的ZnO薄膜,通过VARAIN CaryEclips 500型荧光光谱仪研究了样品的荧光特性.观察到360和380 nm左右2个荧光峰.通过Ni掺杂,研究了360 nm左右荧光峰的起源.结果表明,随着靶材中Ni掺杂量的不同,荧光峰峰位不变,而相应的发光强度发生了明显的变化.当靶材中Ni:ZnO的摩尔比Xs为5%时,样品中360 nm紫外荧光峰的发光强度最佳,表明360 nm左右荧光峰并不是重掺杂后杂质能级深入到导带的结果,有可能是起源于分裂的价带与导带间的复合跃迁.

关键词：ZnO薄膜、掺杂效应、荧光特性

所属期刊栏目：26

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：上海市纳米科技专项基金0352nm009

在线出版日期：2007-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：2069-2071