从热释光曲线同时确定电子复合与俘获之比及陷阱深度

摘要：

复合发光的本质是两种载流子的复合,但其衰减规律则视具体情况可以从一个极限(指数)变到另一个极限(抛物线),即复合发光是一个连续变化的过程.这主要取决于导带电子的行为,导带电子的行为可以用电子与离化发光中心复合与被陷阱俘获之比来表示.加热发光是在变化温度下的发光弛豫,它既与复合与俘获之比有关,还是陷阱深度的函数,因此在利用加热发光曲线测定陷阱深度时,要同时确定这两个参数.利用热释光动力学模型及其原理,对其发光过程进行了分析,解释了热释光过程既不是一个单分子过程也不是一个双分子过程,这两个过程实际是两个极端情形,都是近似.文章同时利用一些工具软件具体计算了ZnS:Cu,Co的陷阱深度及电子复合与俘获概率之比,精确的计算了这些参数,得-n0=2.6,ε=0.86eV.

关键词：发光衰减动力学、单分子过程、双分子过程、热释光曲线、陷阱深度

所属期刊栏目：25

分类号：O433.4(光学)

资助基金：国家自然科学基金10374001;国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314707;中国博士后科学基金2003034324;北京市自然科学基金2032015;高等学校博士学科点专项科研项目20020004004

在线出版日期：2005-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1537-1541