硅中稀土掺杂层的光致发光研究及其关键问题

摘要：

利用离子注入技术, 对稀土掺杂到半导体单晶硅中的光致发光行为进行了研究. 室温下得到了La, Ce和Nd稀土掺杂层的蓝紫色光致发光光谱, 并首次观测到硅中稀土掺杂层室温下的光致上转换发光现象. 光致发光强度随着稀土掺杂量的增加和热处理温度的上升急剧增强. 在紫外光激发下, 发光强度随着激发光波长的减小而增大; 在光致上转换过程中, 发光强度随着激发波长的增加而上升. 这表明光致发光强度与稀土元素的掺杂量、掺杂层的结构与热处理温度有密切的关系. 文章对在室温下这些稀土掺杂层的光致发光行为进行了分析, 并提出了硅中稀土掺杂层光致发光行为研究今后需要重点解决的几个主要问题.

关键词：稀土掺杂、半导体硅、光致发光

所属期刊栏目：25

分类号：O482.3(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10275005;北京市优秀人才培养基金

在线出版日期：2005-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：351-355