SiO2厚度对类阴极射线发光中电子加速的影响

摘要：

研究了有机/无机复合结构ITO/SiO2/MEH-PPV/SiO2/Al器件的类阴极射线发光性质,电子经过SiO2层加速后,激发MEH-PPV层发光.发光除了MEH-PPV激子发光峰外,还有一个带间复合的能量更高的短波发光峰.通过2个发光峰随SiO2层的厚度的变化规律,研究了SiO2对电子的加速能力.

关键词：类阴极射线发光、异质结、电子加速

所属期刊栏目：24

分类号：O482(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金90301004;高等学校博士学科点专项科研项目20020004004;北京市自然科学基金2052015;北京交通大学校科研和教改项目

在线出版日期：2004-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：790-794