8-羟基喹啉铝在多孔铝中的发光研究

摘要：

利用多孔铝非常高的孔隙率, 将8-羟基喹啉铝(Alq3)镶嵌到多孔铝中, 得到Alq3/多孔铝镶嵌膜, 研究了不同条件下制备的多孔铝镶嵌膜的荧光光谱. 实验表明, Alq3在多孔铝中的发光峰位在490 nm左右, 比其在固态粉末状态蓝移了许多. Alq3/多孔铝镶嵌膜的发光特性与多孔铝中嵌入Alq3分子的数量及聚集程度有关. 当分子数量较多、聚集程度较大时, 发光增强, 光谱峰位红移, 但聚集程度太大时, 易发生荧光猝灭现象. 数量较多时, 由于Alq3分子大多以范德瓦尔斯力结合, 聚体较少, 所以峰位移动幅度不大. 实验中还发现, Alq3因为处在小孔中, 光学性质稳定, 荧光光谱带宽超过100 nm, 比一般染料大得多, 这使Alq3/多孔铝镶嵌膜有可能在固体可调谐激光器方面得到新的应用; 同时也为探究Alq3/多孔铝镶嵌膜在电致发光器件中的发光特性奠定了基础, 为将其进一步推向实用提供了实验依据.

关键词：多孔铝、8-羟基喹啉铝、光致发光光谱

所属期刊栏目：23

分类号：O482.3(固体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金Y98A10013

在线出版日期：2004-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：843-845