10.3321/j.issn:1000-0593.2003.02.006
稀土配合物Eu(asprin)3phen发光特性的研究
将稀土配合物Eu(asprin)3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/Al(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/Al(2)的电致发光(EL)器件.发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu3+的位于594 nm(5D0→7F1)和614 nm(5D0→7F2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu3+位于614 nm的发光,594 nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致.并针对此现象进行了初步讨论.
稀土配合物、电致发光
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O482.31(固体物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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