静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究

摘要：

由于腔模与激子对压力的依赖关系不同,所以可以选择不同的压力使激子和光场处于不同的耦合状态,从而实现对耦合的调谐.利用这种办法,我们观测到了代表激子与光场强耦合作用的Rabi分裂.由于在我们现有样品结构中压力对激子本征行为的影响很小,与以前报道的温度、电场等调谐方式相比,这种调谐方法不仅可以有效地调谐半导体微腔内激子与腔模的耦合程度,而且能够保持激子的本征性质在整个调谐过程中基本不变.这有助于研究在强耦合过程中激子极化激元的本征性质.将实验结果与压力下激子与腔模耦合理论进行拟合,得出了正确的Rabi分裂值.

关键词：半导体微腔、压力光谱、Rabi分裂

所属期刊栏目：23

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G001CB3095

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：223-225