光电子材料InP玷污的研究

摘要：

文章给出了光电子材料InP的(100)和(111)晶面质谱分析的结果,对(100)晶面做了光荧光分析.在300和77 K温度下测量了(100)晶面的电子浓度及电子迁移率.研究表明玷污主要来自硅.

关键词：质谱分析、光荧光、电子浓度、电子迁移率

所属期刊栏目：22

分类号：O474(半导体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：550-551