(Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光

摘要：

采用强流金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源注入机,先将Si大束流注入热氧化SiO2/单晶硅,直接形成镶嵌在SiO2中的纳米晶Si,再小束流注入Er.Er离子在掺杂层中的浓度可达1021 cm-3量级,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3+浓度.在77 K和室温下,观察到了Er3+的1.54 μm特征发射.

关键词：离子注入、铒、纳米硅、光致发光

所属期刊栏目：22

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金59671051;复旦大学校科研和教改项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：538-541