室温下掺Er富硅氧化硅和掺Er富硅氮化硅的光致发光及其退火

摘要：

用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜,室温下测量这四种薄膜的光致发光(PL)谱,观察到这四种薄膜都具有1.54 μm的峰位,其强度与薄膜的退火温度有关.为了确定1.54 μm PL的最佳退火温度,这些薄膜都分别在600,700,800,900,1 000,1 100℃的温度下同时退火,发现两种富硅薄膜的最佳退火温度是800℃,不富硅的两种薄膜的最佳退火温度是900℃.样品的1.54 μm PL最强,且800℃退火的掺Er富硅氧化硅薄膜的1.54 μm峰强度是最强的,比不富硅的强了约20倍,还观察到这四种薄膜都具有1.38 μm的PL带,且掺Er富硅氧化硅和掺Er富硅氮化硅这两种薄膜的PL在强度上1.38 μm峰与1.54 μm峰有一定的关系.

关键词：铒、富硅氧化硅、富硅氮化硅、光致发光、纳米硅

所属期刊栏目：21

分类号：TN3;TF1

资助基金：国家自然科学基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：763-765