铒掺杂富硅热氧化SiO2/Si发光薄膜的显微结构

摘要：

利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2/Si薄膜中.卢瑟福背散射(RBS)和X-射线电子能谱仪(XPS)分析表明,Er浓度可达原子百分数(x)～10,即Er的原子体浓度为～1021·cm-3.XPS研究发现,随着Si注量增大,退火态样品表面硅含量增多,热氧化硅含量减少.反射式高能电子衍射(RHEED)和原子灵敏度因子法(AFM)研究表明,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成.在77 K及室温下,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2/Si薄膜的近红外区1.54 μm附近光致发光光谱.

关键词：MEVVA离子源、铒、光致发光、显微结构

所属期刊栏目：21

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金69766001;国家重点实验室基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：758-762