10.3321/j.issn:1000-0593.2001.06.003
低介电常数非晶氟碳薄膜光谱表征
以C4F8和CH4为原料气,通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜,在实验条件下所得薄膜的介电常数为2.3.薄膜的傅里叶变换红外光谱表明该薄膜中除了含有CFn(n=1~3)基团外,还含有少量的C=O,C=C等不饱和双键,没有迹象表明C-H和O-H的存在.X射线光电子能谱进一步证明了薄膜中的碳元素有六种不同的化学状态分别为CF3(8%)、CF2(19%),CF(26.7%)、C-CFn(42.5%),C-C(3.3%)和C=O(0.5%),表明薄膜中大约54%的碳原子与氟成键,大约43%的碳原子不是与氟成键,而是与碳氟基团CFn中的碳原子成键,毗连的两个碳原子上均没有氟参与成键的几率很小.
等离子体增强化学气相淀积、非晶氟碳薄膜、傅里叶变换红外光谱、X射线光电子能谱
21
O484.4(固体物理学)
国家自然科学基金69776026;高等院校骨干教师基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
745-748