10.3321/j.issn:1000-0593.2001.04.015
UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法,方法是非破坏的.并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品,它们都是用UHV/CVD设备生长的.其中两个样品还与X-射线双晶衍射的结果作了比较,两种方法的结果十分一致,这说明本文提出的方法是准确可靠的.这些样品用于制作SiGe/Si异质结PMOSFET,对0.5 μm沟长器件,跨导达112 r11s·mm-1.
Raman测量、SiGe合金、弛豫、应变
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TN3(半导体技术)
国家科技攻关项目97-760-03-01;国家自然科学基金69836020
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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