UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析

摘要：

本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法,方法是非破坏的.并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品,它们都是用UHV/CVD设备生长的.其中两个样品还与X-射线双晶衍射的结果作了比较,两种方法的结果十分一致,这说明本文提出的方法是准确可靠的.这些样品用于制作SiGe/Si异质结PMOSFET,对0.5 μm沟长器件,跨导达112 r11s·mm-1.

关键词：Raman测量、SiGe合金、弛豫、应变

所属期刊栏目：21

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家科技攻关项目97-760-03-01;国家自然科学基金69836020

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：464-467