10.3321/j.issn:1000-0593.2001.02.014
非晶SiOxNy薄膜的红外吸收光谱研究
通过改变O和N含量研究了SiOxNy薄膜中从600到1 600 cm-1范围内的红外吸收谱特征.结果表明,起源于单一Si-O、Si-N键的吸收峰在1 105和865 cm-1处;而随着薄膜中O或N含量的升高,位于单一键吸收峰的两侧出现因O-Si-O、N-Si-N的对称和反对称键吸收的左右肩;对O-Si-N,其特征吸收峰位于1 036和856 cm-1处.
SiOxNy薄膜、晶格振动、红外吸收
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O484(固体物理学)
广东省科技厅科技计划2KB00805G
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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