非晶SiOxNy薄膜的红外吸收光谱研究

摘要：

通过改变O和N含量研究了SiOxNy薄膜中从600到1 600 cm-1范围内的红外吸收谱特征.结果表明,起源于单一Si-O、Si-N键的吸收峰在1 105和865 cm-1处;而随着薄膜中O或N含量的升高,位于单一键吸收峰的两侧出现因O-Si-O、N-Si-N的对称和反对称键吸收的左右肩;对O-Si-N,其特征吸收峰位于1 036和856 cm-1处.

关键词：SiOxNy薄膜、晶格振动、红外吸收

所属期刊栏目：21

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：广东省科技厅科技计划2KB00805G

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：187-189