氧含量对a-SiOxNy薄膜荧光特性的影响

摘要：

采用PECVD方法制备了a-SiOxNy薄膜,观察到强荧光发射现象,荧光光谱由波段范围为260～350 nm和500～700 nm的宽谱带和位置分别为365 、375、380、735和745 nm的荧光发射峰组成.通过改变沉积过程中氢分压研究了氧含量及荧光特性的影响,随着氢分压下降,薄膜中氧含量升高,荧光峰强度增加,但位置不变;而荧光带在强度增加的同时,中心位置产生红移.根据实验结果对荧光起源及变化机制进行了讨论.

关键词：a-SiOxNy薄膜、氧含量、荧光光谱

所属期刊栏目：20

分类号：TQ32

资助基金：苏州大学校科研和教改项目;广东省科研项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：569-571