基于三苯胺和芴的D—A型高分子信息存储材料的合成及性能
设计和合成了一种高度可溶的基于三苯胺和芴的D—A型高分子信息存储材料PFTD（Poly{[4，4L（4．4’-（9H—fluorene一9，9-diyl）bis（4，1-phenylene））bis（oxy）diphthalonitrile][triphe—nylamine]E9，9-dioctyl-9H—fluorene]}）。随着溶剂极性的增加，荧光强度逐渐减弱，荧光发射谱带变宽且发生红移，最大发射峰分别位于426nm（甲苯），432nm（四氢呋喃），r142nm（苯腈），445nm（N，N-二甲基甲酰胺）。PFTD在THF稀溶液中的绝对荧光量子效率为47．8％，由于固体时强的荧光淬灭效应，旋涂在石英玻璃片上的薄膜绝对荧光量子效率仅为5．5％。通过电化学实验估算得到的HOMO、LUMO、能隙、离子化势和电子亲和势分别为-5．43、-2．62、2．81、5．69、2．88eV。由该聚合物制备的薄膜器件（器件结构：ITO／PFTD／A1）表现出典型的一次写入、多次读出（WORM）型记忆特性，电流开关比大于10^4，开启电压为-1．5V。
D—A型高分子材料、信息存储、WORM型记忆、材料合成
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O69;TQ31(应用化学)
国家自然科学基金21074034;上海市领军人才计划资助项目
2013-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
327-334
