乙酰葛根素对大鼠脑缺血再灌注VEGF表达的影响

摘要：

目的 探讨脑缺血再灌注后乙酰葛根素的脑保护作用及其机制.方法 线栓法制作脑缺血再灌注模型,分别对假手术组、脑缺血再灌注组、葛根素组、乙酰葛根素低(10 mg·kg-1)、中(50mg·kg-1)、高剂量(250mg·kg-1)干预组实验标本作HE染色,采用免疫组化方法观察测定各组大鼠脑内的VEGF的表达情况并进行神经功能缺损评分.结果 脑缺血再灌注组与假手术组比较,VEGF表达增多(P<0.01),药物干预组较缺血再灌注组VEGF表达均增多(P<0.01),且神经元损伤较轻,且三个剂量的表达有显著差别(P<0.01).结论 乙酰葛根素对脑缺血再灌注有明显的保护作用,诱导VEGF表达可能是其对脑缺血再灌注损伤起保护作用的机制之一.

关键词：乙酰葛根素、脑缺血再灌注、VEGF、大鼠

所属期刊栏目：26

分类号：R74;R96

资助基金：国家科技部"十二五"科技支撑项目2011BAI07B05;山西省国际科技合作项目2009081038

在线出版日期：2011-09-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1122-1124