用于北斗接收机的低噪声放大器芯片设计

摘要：

为了满足北斗接收机系统集成化,采用成都海威华芯公司0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款工作在北斗L1频段单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA).该LNA采用源级串连电感和栅漏端并联负反馈的两级级联电路结构,实现了低噪声高增益匹配,工作频带为1.5～1.6 GHz,漏极电压3.3V,工作电流为60 mA时,芯片测试结果显示功率增益大于21 dB,噪声系数小于2 dB,在工作频带内输入输出回波损耗优于10 dB,面积为1 mm×2 mm.仿真结果和测试结果有很好的一致性,可用于北斗接收机射频前端.

关键词：低噪声放大器、单片微波集成电路、砷化镓

所属期刊栏目：40

分类号：TN43;TN722.3(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;广西自然科学基金;精密导航技术与应用广西重点实验室基金;广西教育厅科研项目;广西创新研究团队项目;桂林电子科技大学研究生教育创新计划;桂林电子科技大学研究生培优项目;杭州电子科技大学开放课题开放基金

在线出版日期：2020-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：22-26