基于GaAs-0.25μm L波段高效率功率放大器设计
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1673-808X.2019.01.001

基于GaAs-0.25μm L波段高效率功率放大器设计

引用
针对功率放大器在宽频带范围内存在效率低、增益平坦度陡峭而导致导航定位系统能量利用率过低的问题,基于海威华芯0.25μm GaAs pHEMT工艺,利用负载牵引技术和LRC增益均衡结构,设计了一款高效率、平坦化高增益的单片微波集成(MMIC)功率放大器芯片.结果表明:在1475~1675 MHz工作频带内,功率放大器的功率附加效率为55%~62.3%,增益平坦度为±0.29 dB,同时其功率增益和输出功率分别达到32.65 dB和33.5 dBm.

GaAs赝高电子迁移率晶体管、MMIC、开关模式、负载牵引、功率附加效率

39

TN432;TN722.75(微电子学、集成电路(IC))

国家自然科学基金61474031,61764001;广西自然科学基金2016GXNSFDA380021;广西精密导航技术与应用重点实验室基金PF17052x,DH201701;桂林市科技开发项目20160216-1;桂林电子科技大学研究生教育创新计划2016YJCX15,2018YJCXB15,2018YJCX25;深圳市科技创新委员会基金项目JSGG20160608100922614

2019-07-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

1-6

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

桂林电子科技大学学报

1673-808X

45-1351/TN

39

2019,39(1)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn