一种具有顶层电流路径的新型SOI LDMOS结构

摘要：

为了提高SOI LDMOS的击穿电压和降低导通电阻,提出了一种具有顶层电流路径的新型SOI LDMOS结构.该结构由上下反向堆叠的两部分构成,上半部分提供额外的电流路径,以增大输出电流,下半部分引入等间距电荷岛,以提高击穿电压.Silvaco TCAD的二维器件结构仿真结果表明:相比于常规SOI LDMOS结构,击穿电压从210 V提高到600 V,提高幅度达到185％;与常规电荷岛SOI LDMOS结构相比,导通电阻从35.3Ω·mm2降低到26.4Ω·mm2,下降了约25％.

关键词：顶层电流路径、电荷岛、等间距、击穿电压、SOI功率器件

所属期刊栏目：38

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61361011,61274077,61464003;广西自然科学基金2013GXNSFAA019335,2015GXNSFAA139300;桂林电子科技大学研究生教育创新计划2017YJCX40

在线出版日期：2018-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：183-188