一种降低PZT预烧温度的方法

摘要：

为了降低PZT合成时PbO的挥发,以保证PZT化学计量比的准确性,并改善PZT压电陶瓷的生产环境,提出了一种降低PZT合成温度的方法.利用DSC-TGA测试混料后PZT原材料的理论预烧温度,对预烧后的粉末进行XRD衍射分析,并测试了烧结后的PZT压电陶瓷片的烧结密度及 其电性能.测试结果表明:采用干压小圆块的方式,能够将预烧温度降至710 ℃;采用1250 ℃进 行烧结,能够获得烧结密度较好、介电性能和压电性能较优异的陶瓷片.

关键词：PZT压电陶瓷片、预烧温度、压电性能

所属期刊栏目：37

分类号：TB32(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金612610012

在线出版日期：2017-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：68-72