干氧SiO2的氢氟酸缓冲腐蚀研究

摘要：

根据对掺三氯乙烯(TCE)干氧氧化的SiO2在不同配比氢氟酸缓冲腐蚀液(BHF)中的腐蚀特性的研究结果表明, 在HF wt%保持不变的条件下,腐蚀速率先随着NH4F wt%的增大而上升;NH4F大于15wt%～20wt%以后,腐蚀速率反而随之降低.值得注意的是,干氧SiO2同湿氧SiO2相比,在1wt% HF条件下,前者的腐蚀速率要比后者高,直到HF酸浓度大于3wt%时,前者的腐蚀速率才低于后者,这一现象可用NH+4 阻挡模型结合TCE在SiO2中引入浅电子陷阱的方式得到解释.

关键词：氢氟酸缓冲腐蚀液、干氧SiO2、湿法腐蚀、三氯乙烯

所属期刊栏目：26

分类号：TN305.3(半导体技术)

在线出版日期：2006-12-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：363-365