MFSM结构铁电薄膜系统I-V特性研究

摘要：

为制备符合铁电场效应晶体管(FFET)及铁电存储二极管(FMD)要求的高质量铁电薄膜,采用激光脉冲沉积方法(PLD)制备了Au/PZT/p-Si/Au和Au/PZT/BIT/p-Si/Au多层结构的两种铁电薄膜系统.分析表明,在不同的电压范围,起主导作用的导电机制不同:电压低于1V时,漏电流遵循欧姆定律,电压在2.2～3.0V时,空间电荷限制电流(SCLC)占主导地位.I-V特性曲线的结果表明Au/PZT/BIT/p-Si/Au结构比Au/PZT/p-Si/Au结构的漏电流密度低两个数量级,I-V特性曲线回滞窗口增大0.3V,这说明PZT铁电薄膜与Si衬底之间加入BIT铁电层有助于降低漏电流密度,增大I-V回线的回滞窗口.

关键词：PZT铁电薄膜、BIT铁电薄膜、I-V特性、PLD法

所属期刊栏目：19

分类号：O484(固体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：33-36