中国第三代半导体产业:发展存在过热趋势应避免恶性竞争
3月1日,第十三届中国国际纳米技术产业博览会在苏州工业园区国际博览中心开幕.本届博览会有近2400家企业代表参会、参展,聚焦微纳制造(MEMS)、第三代半导体、纳米新材料、柔性印刷电子、纳米压印等热门领域.
中国科学院院士、国家第三代半导体技术创新中心(苏州)主任郝跃在大会主报告中指出,第三代半导体具有优越的功率特性、高频特性、高能效和低损耗特性以及光电特性,目前已经成为全球大国博弈的焦点."我国要继续推动科技和产业的发展,第三代半导体是很好的抓手."
第三代半导体、半导体产业、恶性竞争、发展存在
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TN304;F426.63;B834.4
2023-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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