王占国:发展中国第三代半导体材料机遇大于挑战

摘要：

第三代半导体材料包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料.目前研发较为成熟的材料有SiC和GaN,ZnO、金刚石、氮化铝等材料的研究则尚属于起步阶段.目前,第三代半导体材料因其广阔的发展前景而被国内外市场所一直看好,已经成为各国抢占下一代信息技术的重要途径,也是我国战略性新兴产业的重要组成部分,其研发力度正在不断加大.

在线出版日期：2019-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：12-15