硅衬底GaN基激光器、紫外LED与电力电子器件
与传统的蓝宝石衬底和碳化硅衬底上外延生长GaN技术不同,在硅衬底上外延生长GaN基半导体材料与器件是一条我国有自主知识产权的创新技术路线,具有晶圆尺寸大、成本低、有望与硅CMOS工艺线兼容等优势.基于蓝宝石衬底外延生长的GaN基蓝光LED技术的发明人获得了2014年诺贝尔物理学奖,基于碳化硅衬底外延生长的GaN基LED技术的相关发明人获得了美国总统奖,而我国在硅衬底GaN基蓝光LED技术研发与产业化方面的主要贡献者也获得了2015年国家技术发明一等奖.除了蓝光LED,近年来我国在硅衬底GaN基激光器与紫外LED等光电子器件,以及电力电子器件等领域也取得了突破性进展,目前部分技术已处于国际领先水平,进一步巩固了我国在硅衬底GaN基光电子及电力电子领域的国际地位.
2018-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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