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10.3969/j.issn.1004-0676.2010.01.004

一种半导体封装用键合金丝的研制

引用
在开发了1种微合金配方的基础上,重点研究了真空熔炼连铸工艺,研制出1种适用于半导体分立器件和集成电路封装的高强度低弧键合金丝.结果表明:1)微合金元素得到有效添加,且分布均匀.2)铸锭组织为粗大柱状晶沿轴向分布.3)机械性能均匀稳定,Φ19 μm:断裂负荷≥5 cN,延伸率2%~6%;Φ15 μm:断裂负荷≥3 cN,延伸率2%~6%.4)与国内外相同规格键合金丝相比,具有更高的强度和更大的熔断电流.

金属材料、键合金丝、连铸、熔断电流、热影响区

31

TG146.3~+2(金属学与热处理)

国家科技支撑计划项目2007BAE26B02

2010-05-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

13-16

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1004-0676

53-1063/TG

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2010,31(1)

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