Al-Ag合金γ相周围无沉淀带形成的机理研究

摘要：

运用固体经验电子理论(EET),对Al-Ag合金γ相的价电子结构以及γ相与基体的界面能进行了计算.结果表明,沉淀相与基体的界面处能量连续性较差,γ相的表面结合能高于基体的表面结合能,在界面处形成能量势阱.因此结合能大的γ相表面易吸附界面附近基体的Ag原子,引起γ相周围Ag原子的贫乏,出现γ相无沉淀带(PFZ).

关键词：金属材料、价电子结构、EET理论、表面能、无沉淀带

所属期刊栏目：26

分类号：TG146.3+2(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金50061001;广西科学基金桂科0135006,桂科自0007020,桂科基0342004-1;广西新世纪十百千人才工程基金2001207

在线出版日期：2005-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5