GaN基发光二极管外量子效率研究进展

摘要：

近年来,GaN基发光二极管发展迅猛,但其发光效率一直是制约LED在照明领域广泛应用的主要瓶颈.本文简要介绍了提高发光二极管外量子效率的几种途径:生长分布布喇格反射层(DBR)结构,表面粗化技术,异性芯片技术,采用光子晶体结构,倒装芯片技术,激光剥离技术,透明衬底技术等.

关键词：发光二级管、外量子效率

所属期刊栏目：27

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2010-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：23-28