AlGaN多量子阱342 nm紫外激光二极管

摘要：

@@ 发短波长的紫外光半导体激光二极管和光激发二极管的实现激起了人们对其在许多应用领域的关注和兴趣.如化学/生物化学分析、高密度数据存贮和材料加工.Ⅲ族氮化物材料是制备这些器件的最理想的候选材料之一.本文介绍了一种AlGaN多量子阱激光二极管,其发射波长为342 nm,这是迄今为止报道的最短波长的电驱动激光二极管.该二极管利用异质介面控制横向外延过生长法(Hetem-FACELO)制备,在蓝宝石衬底上生长一层低缺陷密度的AIN摩尔分数为0.3的AlGaN外延层,然后,在高质量的AlGaN层上生长AlGaN多量子阱结构.室温条件下,施加脉冲电流可观察到342.3 nm的激光发射.

机标关键词：紫外激光二极管、多量子阱、algan

所属期刊栏目：26

分类号：TN312.8;TN23;O4

在线出版日期：2009-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：16-20