PERL Si基LED的几种关键技术分析

摘要：

Si材料在微电子集成领域有着不可替代的地位.然而,在光电集成领域,由于Sj为间接带隙半导体材料,Si材料本身并不是很适合用来制作发光器件.但是,成熟的微电子制造技术促使Si基光电器件的研究受到了越来越多的关注.本文介绍了在全硅发光取得新突破的PERL型Si基LED,分析了该结构中提高发光效率的关键技术,并对此结构进行评述,给今后的全硅发光研究领域提供了一个新的思路.

关键词：PERL、硅基LED、光陷阱、转换效率

所属期刊栏目：26

分类号：TN312.8(半导体技术)

在线出版日期：2009-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：34-37