应用于深紫外波段的AlGaN光电探测器研究

摘要：

本文报道了肖特基二极管深紫外光电探测器的制备.此器件制作在GaN外延层上,其中外延层利用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)的方法生长在4in的Si(111)片上.利用光谱响应度测量法确定GaN的截止波长在近紫外波段(200～400 nm);在紫外波段(5～20 nm),利用位于Berliner Elektronen speicherring-Gesellschaft ftir Synchrotronstrahlung (BESSY)的PhysikalischTechnische Bundesanstah(PTB)设备完成了绝对光谱响应度测量与同步加速器辐射.此工作是在欧洲空间局(ESA)支持的盲区太阳探测器项目框架下完成的.

机标关键词：algan光电探测器、金属有机化学汽相沉积、紫外光电探测器、肖特基二极管、绝对光谱响应度、mocvd、gan外延层、同步加速器辐射、ftir、项目框架

所属期刊栏目：25

分类号：TN364+.2;O484.1;TN23

在线出版日期：2009-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：11-14