10.3969/j.issn.1007-1180.2004.04.004
虚拟衬底使Ⅲ-Ⅳ族发光二极管生长在硅上
@@ 美国Ohio州立大学与Massachusetts技术研究所的科研人员共同开发了一种新的发光二极管(LED)生长工艺,采用这一工艺可以将Ⅲ-Ⅴ族半导体沉积在一种硅基的"虚拟"衬底上.
发光二极管
TN312.8;TM923.34;O482.31
2006-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共1页
26-26
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10.3969/j.issn.1007-1180.2004.04.004
发光二极管
TN312.8;TM923.34;O482.31
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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