GaAs单晶生长工艺的发展状况

摘要：

综述了几种较为成功的适合于工业化大规模生长及科研应用的GaAs材料的生长工艺,如液封直拉法、水平布里支曼法、垂直梯度凝固法/垂直布里支曼法和蒸气压控制直拉法.对比分析了几种GaAs晶体生长工艺的优缺点,并介绍了各种器件和电路对GaAs单晶材料的要求.列举了GaAs单晶生长中有待解决的问题:热对流与残余热应力问题;位错和亚结构问题;与晶体生长相关的化学计量问题,此外还介绍了我国GaAs材料的发展状况.

机标关键词：单晶生长工艺、gaas材料、晶体生长工艺、gaas晶体、热应力问题、垂直梯度凝固、残余热应力、液封直拉法、化学计量、生长相关

分类号：O7(晶体学)

在线出版日期：2006-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：11-17