以低熔点金属为催化剂的CVD方法制备硅及硅氧化物纳米材料
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

以低熔点金属为催化剂的CVD方法制备硅及硅氧化物纳米材料

引用
@@ 一维硅纳米材料由于具有优越的电子学、光学特性以及能够与传统的硅基工业相兼容等特点,使其控制制备倍受科研工作者的关注.在众多一维硅纳米材料的控制合成方法中,经典的气相-液相-固相(VLS)机制下的催化剂诱导生长是一种极为重要的控制合成方法.

低熔点金属、催化剂、CVD Method、法制备、硅氧化物、一维硅纳米材料、Melting Point、合成方法、控制制备、科研工作者、诱导生长、光学特性、电子学、液相、特点、气相、经典、机制、硅基、固相

29

TQ3;TG5

2011-11-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共1页

318

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

影像科学与光化学

1674-0475

11-5604/O6

29

2011,29(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn