掺硼p型非晶硅薄膜的制备及光学性能的表征

摘要：

以高氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,利用RF-PECVD方法,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了硼掺杂量对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜的光学性能的影响.利用NKD-7000W光学薄膜分析系统测试薄膜的透射谱和反射谱,并利用该系统的软件拟合得出薄膜的折射率、消光系数、吸收系数等光学性能参数,利用Tauc法计算掺硼的非晶硅薄膜的光学带隙.实验结果表明,随着硼掺杂量的增加,掺杂非晶硅薄膜样品在同一波长处的折射率先增大后减小,而且每一样品均随着入射光波长的增加而减小,在波长500 nm处的折射率均达到4.3以上;薄膜的消光系数和吸收系数随着硼掺杂量的增大而增大,在500 nm处的吸收系数可高达1.5×105 cm-1.在实验的硼掺杂范围内,光学带隙从1.81 eV变化到1.71 eV.

关键词：RF-等离子体增强化学气相沉积方法、非晶硅薄膜、折射率、消光系数、吸收系数、光学带隙

所属期刊栏目：28

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：材料复合新技术国家重点实验室武汉理工大学开放基金2010-KF-9;武汉市科技攻关20061002037

在线出版日期：2010-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：296-304