10.3969/j.issn.1674-0475.2005.04.001
热处理对电沉积制备CuInGaSe2 薄膜的影响
CuInGaSe2薄膜太阳能电池因具有稳定、高效、低成本和环保等特点而受到国内外科学家的重视.采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系,在钼/钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用的CuInGaSe2薄膜.分析了不同热处理温度对电沉积制备的CuInGaSe2薄膜的影响,结果表明:当热处理温度为450℃时,所制备的CuInGaSe2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀和致密性较好.
CuInGaSe2、薄膜、热处理、太阳能电池、电沉积
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TM914
2005-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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