透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性

摘要：

透明栅控 SOI 薄膜横向 PIN 光电探测器，是一种以 SOI 技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础，综合 SOI 器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程，介绍和分析了器件结构及其工作原理，建立电压、电流物理模型。应用 SILVACO 器件仿真软件，完成器件的数值模拟与验证。在中短波长工作段，器件光电流随栅极电压的增大而增大，表现出明显的栅压控制特性。全耗尽状态下，器件的内部量子效率在中短波长（400nm，450nm，530nm，600nm）的光辐射下，可达到96％以上，甚至接近100％。短波长下（280nm，350nm），量子效率最大值近80％。此外，器件的暗电流很低，光暗电流之比超过106，具有高灵敏度。

关键词：栅控、绝缘体上硅、光电探测器、光学特性

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61350007

在线出版日期：2015-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：34-38