离子束刻蚀HgCdTe成结机制分析

摘要：

根据由离子束刻蚀HgCdTe pn结C-V曲线,判定其为线性缓交结;由1/C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度.利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽度作为边界条件)积分计算出其电场分布、电势分布等重要结特性.并且进一步从微观理论分析讨论了离子束刻蚀HgCdTe成结机制过程.

关键词：HgCATe、离子束刻蚀、泊松方程、Hg源扩散

所属期刊栏目：29

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：上海市教委创新基金资助项目08YZ12;上海大学一索朗光伏材料与器件R&D联合实验室的发展基金资助项目SS-E0700601

在线出版日期：2009-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：14-17,22